題 目：Characterization of semiconductor detectors using IBIC imaging method（IBIC成像方法對半導(dǎo)體探測器特性表征）
報告人：Aneliya Karadzhinova-Ferrer 研究員
Ru?er Bo?kovi? Institute
主持人：李正 教授
時 間：2018年12月7日下午2：30
地 點：第二教學(xué)樓319室
報告人簡介：
Ferrer博士于2017獲得Helsinki University的博士學(xué)位，其主要研究方向是研究如何確保粒子探測器的性能穩(wěn)定性，目前是Ruder Boskovic Institute的研究員，是Jaakko教授課題組的青年研究員之一。與CERN CMS合作發(fā)表了近90篇物理學(xué)文章，其內(nèi)容主要集中于氣體和半導(dǎo)體粒子探測器的性能穩(wěn)定性研究，包括各種材料表征技術(shù)（SEM顯微鏡，白光干涉測量，自動光學(xué)掃描系統(tǒng)，化學(xué)分析和電氣表征）的可靠性研究。
報告內(nèi)容簡介：
英文：The Ion Beam Induced Current (IBIC) technique available at the Accelerator laboratory of the Ruder Boskovic Institute is using scanning microbeam to study the properties of various semiconductor devices. The characteristics of the IBIC provide us with information of the response of the material and the coordinate of the beam impact point. The focused IBIC technique allows us to map 2D spatially resolved Charge Collection Efficiency (CCE) of different pad and pixelated detector structures with few micrometer resolution. Semiconductor devices, made of Si and CdTe, were characterized with 2 MeV proton microprobe with different bias settings to create a detailed charge collection studies. In this work we present results of IBIC scans, study the impact of anode material selection, and analyse the performance of the detectors.
中文：Ruder Boskovic Institute加速器實驗室通過現(xiàn)有的離子束感應(yīng)電流(IBIC)技術(shù)，正在使用掃描微束來研究各種半導(dǎo)體器件的性能。IBIC的特性為我們提供了材料的響應(yīng)信息和粒子束撞擊點的坐標信息。通過IBIC技術(shù)，我們能夠描繪出不同襯墊和不同像素化探測器結(jié)構(gòu)的二維空間分辨率的電荷收集效率(CCE)，其分辨率可達到幾個微米。在不同偏壓下，2MeV質(zhì)子微探針對由Si和CdTe組成的半導(dǎo)體器件進行了表征，完成了詳細的電荷收集研究。本文介紹了IBIC掃描的結(jié)果，研究了陽極材料選擇的影響，并分析了探測器的性能。
